최근 수정 시각 : 2025-02-20 20:27:05

CXMT

창신메모리에서 넘어옴
창신 메모리
长鑫存储[1]
ChangXin Memory Technologies
파일:창신메모리_로고.svg
<colbgcolor=blue><colcolor=white> 산업 반도체
국가
[[중국|
파일:중국 국기.svg
중국
]][[틀:국기|
파일: 특별행정구기.svg
행정구
]][[틀:국기|
파일: 기.svg
속령
]]
설립 2016년 5월
의장 주이밍
CEO 주이밍
본사 중국 안후이성 허페이시
고용 인원 약 3,000명(2019년)
링크 파일:홈페이지 아이콘.svg

1. 개요2. 역사3. 생산 시설4. 논란 및 사건 사고
4.1. 삼성전자 부장의 기술 및 인력 유출 사건

[clearfix]

1. 개요

중국 최대의 DRAM 제조사다.

허페이시의 지원을 비롯해 중국 정부가 자국의 반도체산업 육성을 위해 조성한 6,870억위안(약 135조원) 규모의 중국국가반도체산업 투자펀드의 투자를 받으며 유일하게 살아남은 기업이다.[2]

2. 역사

2016년 5월 허페이시가 팹리스 노어낸드(Nor NAND) 업체인 기가디바이스 창립자 주이밍 회장에게 설립을 제안하면서 이노트론(Innotron)이라는 이름으로 탄생했다. 180억위안(약 3조5,000억원)의 설립 자금 중 4분의 3을 허페이시가 부담하고 나머지는 기가디바이스가 냈다.

2017년 3월 72억 달러를 투자하여 300nm 웨이퍼 공장을 세워 월간 125,000장의 생산량을 달성하겠다고 공언하며 착공에 들어갔다.

2018년 1월 허페이 팹1을 완공한 뒤 ASML의 EUV 노광장비 구매를 시도했으나, 미국의 대중제재로 무산되었다. 그럼에도 불구하고 12월 8GB DDR4 시제품을 내놓은 뒤 중국 기업 최초로 DRAM 양산에 성공한 기업이 되어 시장에 본격적으로 진출하였다.

이후 2019년 CXMT로 사명을 변경했고 9월에는 시안쯔광궈신반도체와 WiLAN이 보유하고 있던 키몬다의 46nm 지적재산권 라이센스를 기반으로 19nm 공정 기반의 8GB LPDDR4 시제품을 선보였다.

본격적인 양산 첫 해인 2019년 12월 월간 20,000장의 양산능력을 보였으며 2020년 4월에는 램버스의 지적재산권 라이센스도 얻었다. 2020년 월간 생산능력은 45,000장에 이르렀으며 이듬해에는 65,000장 수준까지 끌어올렸다.

2022년 2월 알리바바 그룹 등 19곳의 투자사들로부터 200억위안 이상의 자금을 확보했다.

2022년 12월 조 바이든이 NDAA2023에 서명하며 미국 연방정부가 CXMT의 제품을 사는 길이 막혔다.

2023년 하반기 기준 월 9만장의 수준의 생산능력을 달성했다.

기업공개 이야기가 돌았으나, 2024년 4월 108억 위안(15억 달러)의 자금을 신규 조달받은 뒤 하반기부터 DDR4를 중심으로 생산량을 17만장 수준까지 대폭 늘려 치킨게임에 들어갔다.[3] 이와 더불어 중국 당국이 자국 내 스마트폰 등의 완제품 생산 시 중국산 메모리를 사용하면 메모리 금액의 15%의 보조금을 주는 정책을 통해서 내수 시장 점유율을 늘리고 있다. 2025년과 2026년 월간 생산능력은 각각 27~30만장, 35~40만 장에 이를 것으로 보인다.[4]

2024년 8월 HBM2를 고객사에 샘플을 제공했으며 2026년 허베이 팹에서 양산에 돌입한다고 한다.

2024년 11월 LPDDR5 양산에 돌입했다.

2025년 1월 미국 국방부가 CXMT를 비롯한 11곳의 중국 기업을 수출 통제 명단에 올렸으며 미국 상무부가 규제 대상이 되는 DRAM 셀의 면적을 0.001946μ㎡ 이하에서 0.0026μ㎡ 이하로, 집적도는 0.288Gb(기가비트)/㎟ 이상에서 0.20Gb/㎟ 이상으로 확대하며 장비 규제가 강화되었다. 이번 수출 규제 강화를 앞두고 미리 장비를 대량으로 사들여 올해 생산 계획에는 차질이 없을 것으로 보이지만, 2026년부터의 생산능력 확장에는 차질이 불가피할 것으로 보인다.

3. 생산 시설

  • 300mm 웨이퍼
    • 허페이 Fab 1 : (2019~ / 19nm / 월 4만 장)
    • 허페이 Fab 2 : (2022~ / 17nm / 월 12만 장)

4. 논란 및 사건 사고

4.1. 삼성전자 부장의 기술 및 인력 유출 사건

2023년 5월 국가정보원의 수사 의뢰를 받은 검찰은 2016년 전직 삼성전자 부장에 대해 수백억원대 금품을 대가로 CXMT에 이직한 뒤 국가 핵심 기술에 해당되는 18nm DRAM 공정 파일과 반도체 엔지니어들[5]을 유출한 혐의로 2024년 1월 재판에 넘겼다.

이후 2025년 2월 1심에서 중형에 해당되는 징역 7년과 벌금 2억원을, 협력사 직원은 2년 6개월을 선고받았다. 이번 사태로 인해 삼성전자는 수조원대의 피해를 입은 것으로 추정된다.
[1] 번체자로는 長鑫存儲.[2] 푸젠진화(JHICC), 우한훙신반도체(HSMC), 칭화유니 등도 지원했지만 대부분 파산했거나 DRAM 사업을 접었다. 현재는 여러 차례 증자를 거치며 허페이시가 보유한 지분 대부분이 국영펀드와 알리바바 그룹텐센트 등의 기업에 넘어갔다.[3] 이로 인해 7월에서 11월 사이 DRAM 가격이 35% 가까이 폭락했다.[4] 업계 3위 마이크론 테크놀로지의 2025년 예상 생산량이 월 33만 장이다.[5] 세후 5억원 상당의 금액을 제시하며 20여명을 빼간 것으로 판단했다.