최근 수정 시각 : 2024-11-30 00:06:53

CXMT


长鑫存储[1]
ChangXin Memory Technologies
파일:창신메모리_로고.svg
<colbgcolor=blue><colcolor=white> 산업 반도체
기업명 창신 메모리
(ChangXin Memory Technologies)
국가
[[중국|]][[틀:국기|]][[틀:국기|]]
설립 2016년 5월
본사 중국 안후이성 허페이시
고용 인원 약 3,000명(2019년)
링크 파일:홈페이지 아이콘.svg

1. 개요2. 상세3. 생산 시설

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1. 개요

중국 최대의 DRAM 제조 반도체 기업이다.

2. 상세

2016년에 CICF의 지원을 받아 Innotron[2]이라는 이름으로 설립되었으며, 모회사는 중국 정부의 지원을 받는 회사인 루이리지청(睿力集成)이다.

설립 이후 중국 최초로 DRAM 양산에 성공하면서 2020년부터 LPDDR4와 DDR4를 생산하며 시장에 본격적으로 진출하였다. 2022년 기준으로 업계에서 3% 수준의 점유율을 기록하고 있다.

그러나 중국이 자국 내 스마트폰 등의 완제품 생산 시 중국산 메모리를 사용하면 메모리 금액의 15%의 보조금을 주는 정책을 통해서 중국 내 메모리 소비의 12%[3] 에 해당하는 점유율을 가져가는 등, 급격히 성장하고 있으며 2024년 말 기준으로 전체 D램 시장의 11% 가량 점유할 것으로 예측된다.

추가 자금 유치를 위해 2023년 연내로 상하이 증권거래소에 145억 달러 규모로 상장할 예정이라고 한다.

HBM 메모리를 개발에 성공, 고객사에 샘플을 제공했다고 한다.

3. 생산 시설

  • 300mm 웨이퍼 (1곳)
    • 허페이 Fab 1 : (2019~ / 19nm / 월 4만 장)
  • 건설 중인 공장 (1곳)
    • 허페이 Fab 2 : (~2023 / 17nm / 월 12만 장)

[1] 번체자로는 長鑫存儲.[2] 2019년에 CXMT로 사명 변경.[3] 모바일 DDR4 기준. 시점 불명.